事業

メモリ技術開発のフロントランナーとして、
現代そして未来の情報社会を支える最先端の技術を
創り続けます。

IoT、AIの技術によりICT産業を実現するため、メモリデバイスの性能を更に高速化、
低消費電力化、高信頼性化させ、また、低コスト化することで
キーデバイスとして半導体メモリは社会を支え続ける

夢の「NAND型フラッシュメモリ」で世界を変えたキオクシア。
私たち、キオクシアシステムズは、同社の重要な開発パートナーとして共に歩み、市場の求めるメモリの設計から評価、解析、量産立ち上げまでを担っています。
いよいよ幕を開けた「メモリ新時代」へ。
私たちは、爆発的に生成・蓄積・活用されるデータを単なる「記録」ではなく、「記憶」と捉え、その可能性を追求します。
そして、「記憶」の技術をコアとして、これまでにない体験や経験を生み出し、もっと、わくわくする未来へ、人々の夢の実現に挑戦します。

現代の情報社会を支えるフラッシュメモリ

世界のデジタルデータの生成量は2007年に初めてストレージの容量を超えたのを機に、2011年には1.8EB(エクサバイト)にまで到達。IDCが公開した調査結果「Data Age 2025」によると、2025年までに175ZB(ゼタバイト)に達する見込みとなっています。HDDなどの既存ストレージでは、この驚くべきスピードに対応することが難しくなっています。

世界のデータ量の予測

平面から3次元へ。発想の転換により生まれた、
キオクシアの3次元フラッシュメモリ。

平面的にメモリセルを増設することでしかメモリの容量を増やせなかった2次元のメモリを、3次元化させ『微細化』『大容量化』『高速化』の3大目標を一度に叶える技術を開発し、メモリ業界にパラダイムシフトを起こしました。
3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」は、2015年に48層のフラッシュメモリを製品化し、現在では「第6世代」162層も発表しています。
今後さらに超積層化技術、縦方向縮小技術など3D技術をさらに進化させていき、急速に変化するメモリ市場の要求に応える最適なソリューションを提供していきます。

平面の2次元NAND → 3次元フラッシュメモリ

メモリ製品開発のフロントランナー
キオクシアシステムズの強み

メモリ開発を支える設計・評価・解析・製造技術

  1. NAND型フラッシュメモリ/BiCS FLASH™、コントローラLSI、ファームウェアの主要構成要素を開発
  2. スマートフォン、SDメモリカード、USBメモリ、SSDなど、多様な用途に最適なアーキテクチャを採用
  3. 次世代フラッシュメモリ技術の迅速な製品導入と独自カード/組み込み系およびSSD技術を提案

メモリ製品に活きる、当社の技術

メモリ製品に活きる、当社の技術

まだ世の中に存在しない技術を
世界で初めて実現するために

メモリの業界は、日進月歩。日々新しい技術の開発に挑戦しています。

その競争原理の中で勝ち抜くために重要なのが、常に最先端技術を用いて開発し量産につなげることです。
しかも誰よりも早く、正確に。

だからこそ、私たちは「今できないこともできるようにしてみせる」という並々ならぬ気概を持って仕事に情熱を注いでいます。

情報爆発時代を支えるフロントランナーとして、私たちの歩みはこれからも進み続けます。

まだ世の中に存在しない技術を世界で初めて実現するために